TC4427EOA IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

وصف قصير:

الجزء Mfr: TC4427EOA

الشركة المصنعة: تقنية الرقاقة الدقيقة
العبوة: 8SOIC
الوصف: برنامج تشغيل البوابة المنخفضة الجانب IC غير مقلوب 8-SOIC

ورقة البيانات: الرجاء الاتصال بنا.

أرسل بريدًا إلكترونيًا إلينا

تفاصيل المنتج

علامات المنتج

معلمة المنتج

وصف

تعد TC4426 / TC4427 / TC4428 إصدارات محسنة من عائلة TC426 / TC427 / TC428 السابقة من برامج تشغيل MOSFET.تتوافق أجهزة TC4426 / TC4427 / TC4428 مع أوقات الصعود والهبوط عند شحن وتفريغ بوابة MOSFET.هذه الأجهزة شديدة المقاومة تحت أي ظروف ضمن معدلات قوتها وجهدها.لا تتعرض للتلف عند حدوث ارتفاع يصل إلى 5 فولت من الضوضاء (لأي من القطبين) على الدبوس الأرضي.يمكنهم أن يقبلوا ، دون ضرر أو اضطراب منطقي ، ما يصل إلى 500 مللي أمبير من التيار العكسي (لأي من القطبين) لإجبارهم على العودة إلى مخرجاتهم.جميع أطراف التوصيل محمية بالكامل ضد تفريغ الشحنات الكهروستاتيكية (ESD) حتى 2.0 كيلو فولت.يمكن لسائقي MOSFET TC4426 / TC4427 / TC4428 شحن / تفريغ سعة بوابة 1000 pF في أقل من 30 نانوثانية.توفر هذه الأجهزة ممانعات منخفضة بدرجة كافية في كل من حالات التشغيل والإيقاف لضمان عدم تأثر الحالة المقصودة لـ MOSFET ، حتى بالمواقف العابرة الكبيرة.برامج التشغيل الأخرى المتوافقة هي عائلة الأجهزة TC4426A / TC4427A / TC4428A.لقد توافقت أجهزة TC4426A / TC4427A / TC4428A مع أوقات تأخير المدخلات إلى المخرجات المتقدمة والمنخفضة ، بالإضافة إلى أوقات الصعود والهبوط المتطابقة لأجهزة TC4426 / TC4427 / TC4428.

تحديد:
يصف	قيمة
فئة	الدوائر المتكاملة (المرحلية)
	PMIC - بوابات السائقين
Mfr	تقنية الرقائق الدقيقة
مسلسل	-
طَرد	أنبوب
حالة الجزء	نشيط
تكوين مدفوعة	جانب منخفض
نوع القناة	مستقل
عدد السائقين	2
نوع البوابة	N- قناة ، P- قناة MOSFET
الجهد - العرض	4.5 فولت ~ 18 فولت
الجهد المنطقي - VIL ، VIH	0.8 فولت ، 2.4 فولت
التيار - ذروة الإخراج (المصدر ، المغسلة)	1.5 أمبير ، 1.5 أمبير
نوع الإدخال	لا يعكس
وقت الصعود / الهبوط (نموذجي)	19ns ، 19ns
درجة حرارة التشغيل	-40 درجة مئوية ~ 150 درجة مئوية (TJ)
نوع التركيب	سطح جبل
العبوة / العلبة	8-SOIC (0.154 بوصة ، عرض 3.90 ملم)
حزمة جهاز المورد	8-SOIC
رقم المنتج الأساسي	TC4427